三星宣布完成16层混合键合HBM内存技术验证

三星电子最近透露，该公司已经完成了16层混合键合HBM内存技术的验证，并生产了基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存样品。内存样品工作正常，未来16层堆叠混合键合技术将用于HBM4内存生产。

与传统的键合工艺相比，混合键合技术作为一种新型的内存键合方法，具有显著的优势。它摒弃了在DRAM内存层之间添加凸块的繁琐步骤，通过铜与铜的连接直接实现上下两层的连接。这种创新方法不仅提高了信号传输速率，而且更好地满足了人工智能计算对高带宽的迫切需求，而且降低了DRAM层间距，降低了HBM模块的整体高度。

混合键合技术的成熟度和应用成本一直是业界关注的焦点。为了解决这个问题，三星电子在HBM4内存键合技术中采取了多元化的策略。三星电子除了积极推进混合键合技术的研究和应用外，还同时开发了传统的TC-NCF技术，实现技术多样化，降低风险，提高整体竞争力。除了混合键合技术，三星还在不断探索和优化TC-NCF技术。为了进一步提高HBM4的性能和可靠性，三星的目标是将晶圆间隙缩小到7.0微米以内。